招聘單位
工學(xué)院/深港微電子學(xué)院
崗位職責(zé)
1.與合作導(dǎo)師共同制定研究課題，開展科研工作并發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文；
2.以負(fù)責(zé)人的身份積極申請國家自然科學(xué)基金及其他省、市級項(xiàng)目；
3.協(xié)助PI撰寫基金、協(xié)助指導(dǎo)研究生。
招聘介紹
研究領(lǐng)域：
1.MicroBumping及RDL先進(jìn)封裝生產(chǎn)線
2.在waferbonding,TSV,2.5Dinterposer領(lǐng)域培育高精度異質(zhì)集成，Bumpless,FAN-OUT工藝制程
3.先進(jìn)封裝：
倒裝封裝、扇出封裝、GaN微波RF封裝、Chiplet&3D封裝、異構(gòu)集成封裝、芯片散熱、晶圓-晶圓鍵合
4.材料的模擬和計(jì)算
薪酬福利
1.聘期兩年，年薪不低于30萬（含省市補(bǔ)貼）；來后表現(xiàn)優(yōu)異可酌情申請各種補(bǔ)貼。按照深圳市有關(guān)規(guī)定享受基本養(yǎng)老保險、基本醫(yī)療保險、失業(yè)保險、工傷保險、生育保險、住房公積金及住房補(bǔ)貼待遇；享受過節(jié)費(fèi)、每月餐補(bǔ)、高溫補(bǔ)貼、免費(fèi)體檢等福利待遇。
2.學(xué)校為每位博士后提供2.5萬元的學(xué)術(shù)交流資助。
3.博士后出站后可申請深圳市的30萬元出站科研資助；如果留深工作，符合條件者可獲得深圳市高層次人才購房補(bǔ)貼160-200萬元；如果成功申請到廣東省特支計(jì)劃再加50萬個人補(bǔ)貼。
4.對于符合最新《深圳市新引進(jìn)人才租房和生活補(bǔ)貼》相關(guān)政策要求的博士后，在深圳落戶后，可申請深圳市一次性租房和生活補(bǔ)貼3萬元（免稅，自行網(wǎng)上申請）。
5.更多博士后項(xiàng)目及基金介紹請參考https://mp.weixin.qq.com/s/K0rO0y8bwThfK4M7QyTlxg
應(yīng)聘材料
1.本人簡歷（請包括：出生年月、從大學(xué)起教育背景、工作經(jīng)歷、科研成果、通訊地址及聯(lián)系電話等，并附近照）；
2.能充分反映本人學(xué)術(shù)水平的有關(guān)材料，如：代表性論文、獲獎情況、主要承擔(dān)課題或工程情況、以及未來研究計(jì)劃等；
3.提供2-3封推薦信及推薦人的詳細(xì)聯(lián)系方式。
應(yīng)聘流程
需要面試
應(yīng)聘條件——學(xué)歷要求
博士研究生
崗位要求
1.獲得國內(nèi)外知名高校微電子、材料、物理、化學(xué)等專業(yè)博士學(xué)位；
2.有良好的英語寫作能力，已發(fā)表不少于3篇本專業(yè)領(lǐng)域權(quán)威學(xué)術(shù)論文；
3.具有獨(dú)立開展科研工作的能力，認(rèn)同南科大的發(fā)展理念，有團(tuán)隊(duì)合作精神，恪守學(xué)術(shù)道德；
4.熟悉半導(dǎo)體及集成電路研究領(lǐng)域，有至少一種芯片封裝的研究開發(fā)經(jīng)歷者優(yōu)先；
5.有下列領(lǐng)域研究經(jīng)歷者優(yōu)先考慮：芯片封裝的散熱，扇出封裝、小芯片異構(gòu)封裝集成等三維封裝，及GaN功率放大器。
6.依據(jù)最新發(fā)布的《國務(wù)院辦公廳關(guān)于改革完善博士后制度的意見》規(guī)定，博士后入站年齡須在35周歲以下，獲得博士學(xué)位一般不超過三年。
備注
有意者請將簡歷、學(xué)術(shù)水平材料、推薦信等相關(guān)應(yīng)聘材料發(fā)送至：zhangy38@mail.sustech.edu.cn（張老師），郵件標(biāo)題以“應(yīng)聘博士后+姓名+合作導(dǎo)師姓名”命名。
信息來源于網(wǎng)絡(luò)，如有變更請以原發(fā)布者為準(zhǔn)。
來源鏈接：
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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