華中科技大學(xué)國(guó)家脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心辛國(guó)慶教授課題組長(zhǎng)期從事先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝材料的制備及功率電子器件熱管理，包括高導(dǎo)熱、絕緣、耐高溫封裝材料的制備，高效均熱、散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)及微尺度傳熱研究。團(tuán)隊(duì)現(xiàn)有教授3名，博士與碩士研究生40余名，擁有國(guó)內(nèi)一流的封裝材料制備與表征平臺(tái)、傳熱/散熱技術(shù)研究平臺(tái)，及功率半導(dǎo)體封裝集成技術(shù)平臺(tái)，是一個(gè)集電氣、機(jī)械、材料等大學(xué)科交叉的研究團(tuán)隊(duì)。誠(chéng)邀海內(nèi)外青年才俊加盟，推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件與電力電子行業(yè)發(fā)展，攜手并進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！

一、負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)介

辛國(guó)慶，華中科技大學(xué)教授，國(guó)家脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心，博士生導(dǎo)師，國(guó)家青年人才項(xiàng)目入選者。2009年和2011年分別獲得山東大學(xué)化學(xué)專(zhuān)業(yè)學(xué)位、韓國(guó)成均館大學(xué)化工專(zhuān)業(yè)碩士學(xué)位。2012年進(jìn)入美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院機(jī)械航空與核能學(xué)院攻讀博士學(xué)位，并于2016年獲得倫斯勒理工學(xué)院機(jī)械工程博士學(xué)位。

2016年至2017年在美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院能源實(shí)驗(yàn)室從事博士后研究。2017年至2019年就職于美國(guó)GlobalFoundries(全球第二大半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)商)，職位為高級(jí)工藝工程師。2019年全職回國(guó)加入華中科技大學(xué)國(guó)家脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心。

辛國(guó)慶教授長(zhǎng)期從事先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝材料的制備及功率電子器件熱管理，包括高導(dǎo)熱、絕緣、耐高溫封裝材料的制備，高效均熱、散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)及微尺度傳熱研究。目前主持國(guó)家級(jí)科技創(chuàng)新人才團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目、國(guó)家青年人才項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金、企業(yè)合作等項(xiàng)目。辛國(guó)慶教授在相關(guān)領(lǐng)域取得了一系列突出成果，在Science, Nature Nanotechnology，Nature communication等知名國(guó)際期刊發(fā)表論文40余篇。其中以第一作者/通訊作者發(fā)表論文11篇，包括1篇Science，1篇Nature Nanotechnology。總計(jì)引用次數(shù)超過(guò)2500次，h-index20。曾獲2016年國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金，2016年The Karen & Lester Gerhardt Prize in Science and Engineering(RPI)獎(jiǎng),2016年美國(guó)材料學(xué)大會(huì)研究生銀獎(jiǎng)，2019年Globy Award in Globalfoundries獎(jiǎng)。

二、招聘方向（材料、化學(xué)、光電、電力電子等）

1.電子封裝材料制備與表征

2.傳熱、散熱、熱設(shè)計(jì)與分析

3.半導(dǎo)體封裝、功率模塊封裝

4.半導(dǎo)體微納器件制備

三、招聘人數(shù)

常年招收博后，人數(shù)不限，熱忱歡迎各位優(yōu)秀博士加盟！

四、應(yīng)聘條件

1．年齡一般不超過(guò)35周歲，身心健康；

2.已獲得博士學(xué)位不超過(guò)3年或即將獲得博士學(xué)位；

3.嚴(yán)謹(jǐn)務(wù)實(shí)，積極進(jìn)取，具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神和極強(qiáng)的責(zé)任感；

4．在國(guó)外專(zhuān)業(yè)期刊上發(fā)表過(guò)學(xué)術(shù)論文，有相關(guān)科研項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；

5．具有較強(qiáng)的英語(yǔ)閱讀和寫(xiě)作能力；

五、崗位待遇

1．博士后每個(gè)聘期2-3年，年薪不低于35萬(wàn)元。崗位設(shè)立專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼，根據(jù)工作能力和表現(xiàn)，專(zhuān)項(xiàng)補(bǔ)貼不低于15萬(wàn)，具體待遇面議；

2．課題組提供良好的科研環(huán)境，創(chuàng)造良好的個(gè)人發(fā)展平臺(tái)，并鼓勵(lì)結(jié)合課題組的發(fā)展創(chuàng)立新的研究方向；課題組提供與國(guó)外著名高校以及企業(yè)合作的機(jī)會(huì)，鼓勵(lì)參與關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)，推動(dòng)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)；

3．支持申請(qǐng)博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃、博士后基金、國(guó)家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目等。

有意者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷發(fā)送至郵箱：guoqingxin@hust.edu.cn，有任何關(guān)于工作的問(wèn)題，歡迎與我們聯(lián)系咨詢(xún)。

竭誠(chéng)歡迎您的加盟！

國(guó)家脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心

2022年11月2日

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