一、平臺簡介
浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心是新時代浙江大學和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺。中心以打造世界一流水平、引領未來發(fā)展的全球頂尖科技創(chuàng)新中心為目標，以重大科研任務攻關和大型科技基礎設施建設為主線，形成一批世界頂尖的基礎學科群，建設一批世界頂尖的科學研究基礎設施，匯聚一批世界頂尖的科學家和創(chuàng)新團隊，產(chǎn)出一批具有影響力的重大共性技術成果，集聚一批具有世界競爭力的創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群，探索有利于基礎研究、應用研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全鏈條貫通的體制機制。
先進半導體研究院/金竹團隊
本團隊隸屬于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室。該研究室在著名半導體材料專家楊德仁院士指導下開展工作，研究室主任為皮孝東教授，張輝教授指導。
課題組帶頭人：金竹“科創(chuàng)百人計劃”研究員 （求是科創(chuàng)學者）
2021年博士畢業(yè)于浙江大學化學系，2023年加入浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，擔任研究員（求是科創(chuàng)學者）。近五年承擔/參與國自然青年基金，浙江省尖兵領雁計劃，獲得博士后創(chuàng)新支持計劃、浙江省擇優(yōu)資助等。發(fā)表SCI論文10余篇，包括Science, CrystEngComm, J. Alloy Compound., Appl. Phys. Lett.，等國際知名專業(yè)期刊，擔任IFM等期刊的審稿人。
重點引進方向
寬禁帶半導體材料氧化鎵相關研究（有半導體材料研究經(jīng)驗者即可）
方向1： 探索氧化鎵材料中缺陷與雜質(zhì)的基本性質(zhì)
氧化鎵生長過程中會產(chǎn)生位錯，孿晶等多種缺陷，需要對這些缺陷的基本性質(zhì)進行表征并闡明其機理。
方向2：探索氧化鎵材料的摻雜與電學性能
優(yōu)化摻雜元素種類、濃度等，調(diào)控材料電學性能。
方向3：探索氧化鎵材料同質(zhì)外延生長
探索氧化鎵材料同質(zhì)外延生長機理，提高外延薄膜質(zhì)量
二、申請條件
1.近三年內(nèi)獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；
2.保證全職從事博士后研究工作；
3.具有相關學科背景和科研經(jīng)驗，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；
4.具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；
5.具有良好的英語聽說讀寫能力；
三、待遇及保障條件
1.具體面議，同時可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年（外籍人才可享受17.5萬元/年。）；應屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受10萬元杭州市應屆生人才補貼。
2.提供一流的實驗與科學研究條件，共享浙江大學頂尖學術生態(tài)體系
3.提供專項科研經(jīng)費支持；對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，分別給予相應配套資助和獎勵；對生源優(yōu)秀或取得標志成果的博士后，給予額外獎勵（相關獎勵可疊加）
4.符合條件的，可申報博士后海外引才專項，享受三年生活補助和安家費相關政策
5.表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心青年人才、技術研發(fā)等崗位
6.在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
7.出站后留杭或蕭山工作的，可申請杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應人才政策
8.符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策
9.協(xié)助解決子女教育入學、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等
10.提供一流的科研條件和博士后聯(lián)誼會交流平臺，享受園區(qū)一站式保障服務，如食堂、健身房、體育館等
四、申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
申請人請將以上申請材料發(fā)送至聯(lián)系人郵箱：jinzhuu@zju.edu.cn
附件和郵件主題均以“鄧天琪課題組+博士后/技術開發(fā)專家+姓名”標明
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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