中國科學院半導體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)研究室H組致力于研究III-V組化合物半導體單晶材料生長和襯底制備等工作研制高性能紅外光電探測器及激光器用晶圓材料。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員1-2名，相關(guān)情況如下：
一、 工作方向：
半導體材料的晶體生長、化學腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關(guān)研發(fā)工作
二、 崗位
III-V族化合物半導體材料的物理化學性質(zhì)測試和相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)工作
三、 人選要求：
（一）熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；
（二）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導體物理、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士優(yōu)先；
（三）優(yōu)先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者：
a)晶體材料生長技術(shù)：LEC、VGF等熔體法單晶生長技術(shù)；
b)半導體材料測試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；
c) 半導體材料化學腐蝕及表面性質(zhì)研究；
（四）有在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表專業(yè)文章的經(jīng)歷；
（五）研究生優(yōu)先考慮有半導體化學、工藝制備、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗者。
四、 相關(guān)待遇：
1. 按照中國科學院及半導體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險一金，薪酬從優(yōu)，面談。
2. 北京戶口有望進入編制。
3. 業(yè)績突出者將享有項目績效。
五、 應聘方式：
（1）應聘者需提交個人詳細履歷 和《崗位應聘申請表》，電子郵件方式發(fā)送至shenguiying@semi.ac.cn；
（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；
六、 聯(lián)系方式：
有意者請將個人簡歷及能夠體現(xiàn)個人能力的相關(guān)資料發(fā)送至: shenguiying@semi.ac.cn 電話：010-82304848
郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復。
注：團隊歡迎在讀研究生來所聯(lián)合培養(yǎng)！
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為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
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