中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors,CAS)是集半導體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)集成應用的國家級綜合性研究所，于1960年在北京成立。半導體所現(xiàn)有在職科研人員600余名。中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引才計劃50余人，國家杰出青年科學基金獲得者20人，“百千萬人才工程”入選者10人。設有3個博士后流動站，5個一級學科博士培養(yǎng)點， 1個工程博士培養(yǎng)點，2個工程碩士培養(yǎng)點。
中國科學院半導體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊伍、科研平臺和教學基地，是中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，材料科學與工程入選國家一流學科。在相關研究領域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果，近年來獲得國家自然科學獎、國家科技進步獎等多項獎勵，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
一、 招聘崗位
二、招聘方式及程序
1. 應聘者須填寫《中國科學院半導體研究所崗位應聘申請表》，并以電子郵件方式發(fā)送至對應崗位郵箱。郵件標題及應聘申請表名稱請注明“用人部門-崗位序號-學歷-畢業(yè)院校-專業(yè)-姓名-聯(lián)系方式-生源地” （“生源地”的填寫僅限應屆生），舉例：集成技術中心-5-碩士-清華大學-凝聚態(tài)物理-張三-130xxxx-山東濟南。
2. 本招聘啟事有效期至2025年5月31日。通過資格初審的應聘者參加面試，面試時間和地點將另行通知。初選不合格者不再通知。
三、聯(lián)系方式
聯(lián)系人：中國科學院半導體研究所人事教育處 亓老師（010-82304956 ）
地 址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
郵 編：100083
中國科學院半導體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊伍、科研平臺和教學基地，是中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，材料科學與工程入選國家一流學科。在相關研究領域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果，近年來獲得國家自然科學獎、國家科技進步獎等多項獎勵，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
一、 招聘崗位
| 用人部門 | 序號 | 崗位職責 | 學歷/學位 | 招聘數(shù)量 | 專業(yè)領域 | 接收簡歷郵箱 | 是否應屆生 |
| 集成技術中心 | 1 | 半導體工藝技術開發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學與技術類、物理類 | shenqing@semi.ac.cn | 是 |
| 人工智能與高速電路實驗室 | 2 | 數(shù)字芯片崗位，模擬芯片崗位 | 博士、碩士 | 3-5 | 微電子及相關專業(yè) | xdong@semi.ac.cn | 不限 |
| 固態(tài)光電信息技術實驗室 | 3 | 有博士后經(jīng)歷，研究氮化鎵半導體器件工藝 | 博士 | 1 | 微電子學與固體電子學 | dgzhao@red.semi.ac.cn | 不限 |
| 4 | 開展非侵入式腦-機接口研究 | 博士 | 1 | 電子科學與技術類 | peiwh@semi.ac.cn | 否 | |
| 5 | 半導體單晶襯底表面缺陷的形成機理及去除方法 | 碩士或博士 | 1 | 化學類、材料物理與化學 | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
| 6 | 新材料的晶體生長工藝和缺陷分析 | 碩士或博士 | 1 | 半導體材料類、半導體物理 | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
| 半導體物理實驗室 | 7 | 主要負責自旋芯片研制和應用開發(fā) | 博士 | 1 | 電子科學與技術類、物理類 | kywang@semi.ac.cn | 不限 |
| 8 | 半導體光譜測試，實驗室儀器設備搭建 | 碩士以上 | 1 | 物理類、光學類 | phtan@semi.ac.cn | 不限 | |
| 9 | 微納材料合成/片上微納結構設計仿真、工藝及表征 | 碩士及以上 | 1 | 材料類、電子類 | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
| 10 | 微納尺度光-電-力相互作用研究，微納操控與傳感 | 博士 | 1 | 物理類、材料類 | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
| 11 | 助理研究員/副研究員：須具備博士后經(jīng)歷，從事自旋電子器件實驗研究，能夠獨立完成科研論文和項目申請書撰寫，已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 博士 | 1 | 自旋電子學 | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
| 12 | 特別研究助理：從事自旋電子實驗研究，自旋電子學專業(yè)，能夠獨立完成科研論文和項目申請書撰寫，已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 博士 | 2 | 自旋電子學 | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
| 13 | 實驗工程師：負責實驗室設備和微納加工工藝及組長交待其他的其他工作，物理、材料、電子專業(yè)，已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先 | 本科及以上 | 1 | 自旋電子學 | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
| 14 | 半導體材料物性與器件應用研究 | 博士 | 1 | 材料科學與工程類、物理類 | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
| 15 | 博士后/特別研究助理,新型半導體材料與器件 | 博士 | 1 | 納米材料與技術類、物理類 | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
| 納米光電子實驗室 | 16 | 半導體光電器件研究 | 博士 | 3 | 微電子與固體電子學、物理類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 |
| 17 | 光電器件工藝技術開發(fā) | 本科、碩士 | 4 | 電子科學與技術類、物理類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
| 18 | 光電器件測試開發(fā) | 本科、碩士 | 2 | 電子科學與技術類、儀器科學與技術類 | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
| 19 | 半導體器件與集成技術的研發(fā)與相關項目的完成 | 博士 | 2 | 微電子與固體電子學、物理類 | weix@semi.ac.cn | 不限 | |
| 20 | 進行各類半導體光源的研發(fā)與相關項目的完成 | 博士 | 1 | 電子科學與技術類 | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
| 21 | 進行硅基異質集成光電子器件的相關研發(fā)和科技管理 | 博士 | 1 | 電子信息類、化工與制藥類 | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
| 22 | 從事薄膜鈮酸鋰光電子器件開發(fā)，要求具備相關流片工藝經(jīng)驗，發(fā)表相關領域SCI論文3篇及以上，有全職在站博士后經(jīng)歷 | 博士 | 1 | 物理電子學 | jgliu@semi.ac.cn | 不限 | |
|
光電子材料與器件重點實驗室 |
23 | 開展光電智能計算芯片仿真設計、裸片和封裝后的相關性能指標測試；開展微波光子伊辛機相關研究工作 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學與技術類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 |
| 24 | 開展光電集成芯片仿真設計、芯片測試、模塊封裝與測試；開展硅基異質集成芯片技術開發(fā)與芯片制備 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學與技術類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
| 25 | 開展光電振蕩器理論分析、芯片設計、系統(tǒng)開發(fā)，開展光電振蕩器集成器件測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學與技術類、物理類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
| 26 | 開展高速驅動放大和控制電路分析、版圖設計、芯片開發(fā)，開展高速接口收發(fā)芯片測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學與技術類、通信類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
| 27 | 開展光電融合集成理論分析、芯片設計、片上光路與電路開發(fā)，開展光電單片集成芯片的測試與功能驗證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學與技術類、通信類 | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
| 28 | 半導體器件工藝及芯片測試 | 本科及以上 | 1 | 電子信息類、物理類 | ludan@semi.ac.cn | 不限 | |
| 29 | 銻化物低維結構分子束外延生長與激光器制備 | 博士 | 1 | 電子科學與技術類 | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
| 30 | 量子點激光器的外延與制備 | 博士 | 1 | 電子科學與技術類 | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
| 31 | 面發(fā)射激光器、光電集成及系統(tǒng)應用 | 博士 | 1 | 電子科學與技術類、應用物理類 | liuanjin@semi.ac.cn | 是 | |
| 32 | 光電子器件測試 | 本科、碩士及以上 | 1 | 電子科學與技術類、應用物理類 | liuanjin@semi.ac.cn | 不限 | |
| 33 | 博士或博后，光子芯片與光量子芯片研究 | 博士 | 1 | 物理類、電子科學與技術類 | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
| 34 | 微納光電子材料與器件研究 | 本科、碩士及以上 | 2 | 物理類、電子科學與技術類 | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
| 35 | 從事硅光芯片技術研發(fā) | 博士 | 4 | 微電子學與固體電子學 | oip@semi.ac.cn | 是 | |
| 36 |
特別研究助理或博士后：從事硅基光子器件與模塊的設計與表征；InP基光電子器件設計、制備及表征；硅基-ⅢⅤ異質集成；鈮酸鋰調制器等的研發(fā) 要求(1)熱愛科研工作，踏實努力，具有責任心和團隊合作精神；(2)專業(yè)背景（任一）:光電子學、半導體光電子學、半導體物理、光通信、電子信息、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士優(yōu)先；(3)優(yōu)先考慮具有硅光器件與模塊設計及測試經(jīng)驗 |
博士 | 2 | 微電子學與固體電子學、物理類 | yanghua@semi.ac.cn | 不限 | |
| 37 | 從事半導體物理及器件模擬，開發(fā)模擬方法及程序研究工作 | 博士 | 3 | 物理類、材料類 | jiameng@semi.ac.cn | 不限 | |
| 38 | 光電集成芯片設計與材料生長和器件制備 | 博士 | 1 | 微電子學與固體電子學 | jqpan@semi.ac.cn | 是 | |
| 光電系統(tǒng)實驗室 | 39 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 碩士及以上 | 1 | 電子信息類、計算機類 | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 |
| 40 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 博士 | 1 | 電子信息類、計算機類 | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 | |
| 41 | 光電探測及成像系統(tǒng)設計與研發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學與技術類、光學工程類 | wangxinwei@semi.ac.cn | 不限 | |
| 寬禁帶半導體研發(fā)中心 | 42 | 開展紫外LED封裝技術和金剛石基探測器制備技術研究 | 博士 | 1 | 凝聚態(tài)物理，電子科學與技術 | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
| 43 | 開展氮化物半導體紫外LED和LD研究 | 碩士 | 2 | 凝聚態(tài)物理，電子科學與技術 | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
| 44 | 氮化物紫外材料外延生長設備維護與操作 | 本科 | 1 | 凝聚態(tài)物理，電子科學與技術 | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
| 45 | 第三代半導體單晶材料生長設備維護與操作 | 本科 | 1 | 光學工程，材料科學與工程 | jxwang@semi.ac.cn gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
二、招聘方式及程序
1. 應聘者須填寫《中國科學院半導體研究所崗位應聘申請表》，并以電子郵件方式發(fā)送至對應崗位郵箱。郵件標題及應聘申請表名稱請注明“用人部門-崗位序號-學歷-畢業(yè)院校-專業(yè)-姓名-聯(lián)系方式-生源地” （“生源地”的填寫僅限應屆生），舉例：集成技術中心-5-碩士-清華大學-凝聚態(tài)物理-張三-130xxxx-山東濟南。
2. 本招聘啟事有效期至2025年5月31日。通過資格初審的應聘者參加面試，面試時間和地點將另行通知。初選不合格者不再通知。
三、聯(lián)系方式
聯(lián)系人：中國科學院半導體研究所人事教育處 亓老師（010-82304956 ）
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